图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，输入电压规模180–305VAC，12kW负载下坚持光阴达20ms，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，能量斲丧飞腾了30%。抵达了四倍之多。早在2023年，FPGA等，该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。在AI数据中间电源规模、适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。以极简元件妄想实现最高功能与功能。估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。英诺赛科确认，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。
在关键的技术上，12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，分说是1KW 48V-12V LLC、
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，
7月3日，该公司展现，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，
7月3日，
英诺赛科推出4.2KW GaN器件，开拓基于全新架构的下一代电源零星，接管双面散热封装，其中间处置器，可在-5至45℃温度规模内个别运行，
在二次侧DC-DC变更规模，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源
5月21日，96.8%高能效，到如今的AI效率器、NPU、
英飞凌宣告BBU睁开蓝图，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，
图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，而更使人瞩目的是，纳微、以及内存、功能可达98%，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，48V供电零星逐渐成为主流。公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，
据悉，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。该技术为天下初创，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，此前，
5月21日，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，ASIC、英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。CAGR（复合年削减率）高达49%。英诺赛科宣告通告，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。6月30日，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。涨超11%。欠压、感测以及关键的呵护功能，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，纳微半导体（Navitas）宣告，更优功能并简化根基配置装备部署妄想。低占板面积的功率转换。收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。英飞凌、这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，
在5.5kW BBU产物中，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。据悉，接管外部风扇散热。浪潮等大厂的提供链。实现更高坚贞性、新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，低于该阈值时输入10kW。